圖2只是增加了兩個(gè)電阻居然就轉(zhuǎn)變成具有穩(wěn)壓輸出特性的直流電源開關(guān)電路，當(dāng)然唯一條件是控制開關(guān)的輸入電壓也必須是穩(wěn)定的才行?，F(xiàn)在一般多功能芯片都需要有D to D電路去產(chǎn)生3.3V電壓，再利用這個(gè)電壓來產(chǎn)生其他5V或是9V的穩(wěn)壓輸出，應(yīng)該是蠻理想的。這里穩(wěn)壓的動(dòng)作原理是由輸出端經(jīng)由電阻R2與R4的分壓回饋，且被Q2晶體管射極形成固定的參考電壓而完成。

圖3看來跟圖2的功能相同，卻還多用了另外兩個(gè)晶體管，還最好是在同個(gè)特性包裝內(nèi)的，這當(dāng)然有它的道理在了，我想能夠看破的人應(yīng)該已經(jīng)可以掌握晶體管的特性。這里穩(wěn)壓的動(dòng)作原理是由輸出端經(jīng)由電阻R2與R4+R5的分壓回饋，且被Q3晶體管pin-5基極形成固定的參考電壓而完成。當(dāng)然此時(shí)參考電壓是由控制端的3.3V，經(jīng)過兩個(gè)晶體管的Vbe分別降壓及升壓完成的。

現(xiàn)在該說明圖2與圖3的特性差異了。圖2的參考電壓是3.3V-Vbe電壓，而圖3的參考電壓是3.3V-Vbe+Vbe電壓，也就是圖2的參考電壓會(huì)隨Vbe的溫度而變化，可能由高溫的0.55V到低溫的0.75V。這也是為何圖3的兩個(gè)晶體管最好還能是使用雙組的包裝，以求Vbe特性與溫度變量達(dá)到最低。

再來則是輸出最大電流量的限制，圖2的R4與圖3的R2數(shù)值，決定輸出晶體管Q1的最大基極電流，也就間接影響最大輸出電流。由于圖2的R4還擔(dān)負(fù)參考電壓的分壓設(shè)定，因而數(shù)值受限不能太小，也就是圖2不適于供應(yīng)太大的電流輸出。圖3的R2則可獨(dú)立設(shè)定最大的電流輸出量。

另外則是圖2的輸出電壓并不很穩(wěn)定，會(huì)隨輸出供應(yīng)電流量的增加，而使輸出電壓微量下降。原因在于若輸出電流提升，則由Q2流經(jīng)R4的電流量需增加，但因Q2射極為參考點(diǎn)，此電流量必須保持恒定不變，也就是輸出端經(jīng)由R2的電流回饋量減少，使得輸出電壓下降。也因此圖2的電路比較適合用于需求電流量較穩(wěn)定的部分。